效率可達(dá)22.5%以上的PERC,突破口在哪里?
以下是發(fā)言實(shí)錄(未經(jīng)細(xì)調(diào)):
在做報(bào)告之前我先介紹一下微電研究所關(guān)于新型高效電池的一些研究。我們現(xiàn)在主要是做異質(zhì)結(jié)電池,是我們用到自己生產(chǎn)的設(shè)備,另外一個(gè)是背接觸電池(IBC),我們研究了將近五年的時(shí)間,我們自己不能做大面積,只能做小面積,把重點(diǎn)放在核心工藝和基本物理過程的研究上,我們自測(cè)的效率達(dá)到20%。我們把異質(zhì)結(jié)和背接觸結(jié)合,在2012年9月份的時(shí)候就做出異質(zhì)結(jié)-背接觸(HJ-IBC)電池,到2015年3月份的時(shí)候開路電壓得到極大的突破。我們這些研究主要是面向未來(lái)的高效電池做一些產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)研究和儲(chǔ)備。
同時(shí)我們也發(fā)現(xiàn),通過高效電池的研究,一些關(guān)鍵技術(shù)儲(chǔ)備起來(lái),人才團(tuán)隊(duì)也建立起來(lái)了,而且很多技術(shù),基本上經(jīng)過五年的研究,對(duì)背接觸(IBC)和異質(zhì)結(jié)背接觸高效電池的全套的核心工藝基本都掌握了,對(duì)他的物理機(jī)制,特別是物理機(jī)制這方面有深入的了解。這是我們做的一些背接觸電池的照片,比如3cm×3cm,4cm×4cm,2cm×2cm等等,還有異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的照片。把背接觸IBC技術(shù)和異質(zhì)結(jié)HJ這兩種技術(shù)結(jié)合就是異質(zhì)結(jié)背接觸電池技術(shù),這樣未來(lái)的三代技術(shù)都有了。這是我們做的背接觸電池的一個(gè)仿真,比如前表面場(chǎng)的影響,實(shí)際上如果表現(xiàn)負(fù)荷非常小,開壓也做的非常高,但是他的短路電流比較低,但是效率也能夠達(dá)到20.78%,經(jīng)過優(yōu)化效率還可以再往上上。這是我們背接觸的一個(gè)流程等等。
這是我們正在做的高效電池研究的情況?,F(xiàn)在針對(duì)這次報(bào)告的要求,做一個(gè)詳細(xì)關(guān)于高效PERC晶體硅電池的介紹,我們知道PERC電池得到了產(chǎn)業(yè)界的極大關(guān)注,是未來(lái)幾年的主打產(chǎn)品。它的主要特點(diǎn)是在光的應(yīng)用上特別充分,效率得到了提升的主要原因是來(lái)自于背面鈍化的改善,以及來(lái)自于背面鈍化膜光的反射,這樣效率得到了整體的提高。到2013年-2014年P(guān)ERC電池已經(jīng)有許多設(shè)備商、制造商和研究機(jī)構(gòu)介入到這里。像史密德他們已經(jīng)把設(shè)備賣到了中國(guó),效率能夠做到20.8%;做三氧化二鋁的設(shè)備,賣給臺(tái)灣的廠商。
在研究領(lǐng)域,我統(tǒng)計(jì)了一下,真正的目前研究主要還是集中在幾個(gè)實(shí)力比較強(qiáng)的企業(yè)在做,比如像中電、天合、阿特斯;但是我們大部分的小公司,是沒有能力做這樣的研究的。但是在中國(guó)高校和研究所里統(tǒng)計(jì),幾乎沒有人做高效PERC晶體硅方面的研究工作;這方面的主要研究也就是科學(xué)院的若干個(gè)所在做,主要是這些研究跟產(chǎn)業(yè)化技術(shù)相關(guān),因此很難拿到經(jīng)費(fèi)。因?yàn)檫@個(gè)地方我也呼吁一下,科技部把給研究所和高??蒲薪?jīng)費(fèi)的口子基本上都關(guān)死掉了,目前的研究經(jīng)費(fèi)基本上都是來(lái)自于國(guó)家自然科學(xué)基金,而國(guó)家自然科學(xué)基金錢是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的,最太少。但國(guó)外的研究機(jī)構(gòu)還是做的非常好的,德國(guó)的ISFH能夠做到21.2%,而且可量產(chǎn)型的工業(yè)化的技術(shù),我覺得都是非??扇 ?/p>
在這個(gè)領(lǐng)域里德國(guó)Manz,發(fā)展了一套技術(shù),在硅片背面進(jìn)行了拋光,拋光以后進(jìn)行了三氧化二鋁和氮化硅的復(fù)合鈍化,這樣就能更好的反射光和更好的鈍化。但是實(shí)際上除了這兩個(gè)方面以外,金屬化是非常重要的,他用到了幾種激光燒結(jié)的技術(shù),平常我們要用的激光,要么是1064納米的,要么是532納米的激光器,但是這種激光器我們國(guó)內(nèi)包括跟一些廠家合作的時(shí)候,往往用激光打出來(lái)的點(diǎn)不均勻,造成歐姆接觸不好,復(fù)合比較大。就是個(gè)部位實(shí)際上主要是高斯光束形成的,光的分布有一個(gè)光強(qiáng)的分布,半峰寬分布這么寬的激光光打在上邊,有些部分強(qiáng)的,有些部分是弱的,弱的就形成了強(qiáng)復(fù)合這種情況。他們發(fā)展了一種技術(shù)叫flat-top技術(shù),使這個(gè)光更加均勻,這樣無(wú)論是劃的線或者是打出來(lái)的孔都非常均勻,那么他做的效率也能達(dá)到20.52%,開壓也能到656mV,填充因子也是非常高,達(dá)到80.3%這樣一個(gè)程度。
PERC電池要想提升效率,必須知道限制它效率提升的因素。從這個(gè)分析上看,他們做了詳細(xì)的模擬并結(jié)合實(shí)驗(yàn)進(jìn)行比對(duì),首先最大的限制是來(lái)自于空穴空穴的輸運(yùn),是非常大的限制因素,這是第一。第二是襯底的復(fù)合,襯底的少子壽命如果過低的話,不適合做PERC電池。第三個(gè)部分是電極金屬化,第四個(gè)部分才是背表面復(fù)合,第五是前表面的復(fù)合。一項(xiàng)一項(xiàng)解決了以后,次要的問題就變成主要的問題。
首先看少子壽命與襯底電阻和效率的關(guān)系。我們并不是說(shuō),拿一塊電池片就適合做PERC電池,那是不對(duì)的,他有一個(gè)對(duì)應(yīng)的關(guān)系的。根據(jù)歐洲光伏大會(huì)2014年他們做的一些模擬和發(fā)表結(jié)果來(lái)看,實(shí)際襯底電阻范圍可以由一個(gè)非常大的變化,但是(少子)壽命有非常大的變化,我們看到襯底的電阻率越低,越有利于PERC電池效率的提升;少子壽命越高,也有利于PERC效率的提升,也就是說(shuō)你要達(dá)到1歐姆厘米,或者是0.5歐姆厘米。要是達(dá)到20%以上的效率,少子壽命最少能夠達(dá)到50-100微妙以上,這樣有利于PERC電池高效的實(shí)現(xiàn),所以PERC電池需要折中考慮少子壽命、電阻率等等。還有更重要的是我們的pitch,我們拿到一個(gè)襯底,根據(jù)他的少子壽命,實(shí)際就是無(wú)論打點(diǎn)也好,劃線也好,實(shí)際上他是有一個(gè)優(yōu)化的范圍之內(nèi),如果少子壽命非常高的話,而且你的襯底電阻率比較低,效率可以做的非常高。他們通過模擬進(jìn)行預(yù)測(cè)這條藍(lán)線是最佳的pitch,但是它是有一個(gè)范疇之內(nèi)的,在范疇之內(nèi)的pitch數(shù)值都是可以的,但這個(gè)是最佳的。隨著我們襯底的少子壽命比較低,電阻率也比較高的情況下,我們可以看到整個(gè)的效率會(huì)急劇下降,實(shí)際上pitch變化的窗口會(huì)非常的小。我們也有一些專家討論,為什么現(xiàn)在多晶的PERC不多,我了解到多晶的PERC有人在做,因?yàn)槎嗑бr底少子的壽命非常的低,如果襯底少子非常低的話,實(shí)際上在這個(gè)徹底的電阻率少子壽命還有pitch之間平衡比較困難,這也是到目前為止人們?yōu)槭裁纯吹絾尉У腜ERC比較多的原因。如果說(shuō)襯底電阻比較低的情況下,雖然有利于效率提升,但是這里還存在著一個(gè)嚴(yán)重光衰的問題,電阻率下來(lái)以后,意味著B-O對(duì)比較多,這樣會(huì)造成PERC電池的光衰比較嚴(yán)重,所以整個(gè)的制造還是需要材料的情況和自己工藝做一個(gè)平衡。
在這個(gè)地方,除了襯底的電阻率、少子壽命外,我們還可以到后面激光打點(diǎn),甚至通過別的手段形成局部的點(diǎn)接觸。實(shí)際上在局部的背點(diǎn)接觸,會(huì)形成一個(gè)背表面場(chǎng)場(chǎng),背表面場(chǎng)場(chǎng)它的深度對(duì)整個(gè)電池的因素,我們先看背表面場(chǎng),電極接觸的部位,如果說(shuō)是背表面結(jié)越深得情況下,實(shí)際上無(wú)論是填充因子開壓還是短路電流,都是有利于整個(gè)數(shù)值的上升,所以我們希望在做后面背表面場(chǎng)的時(shí)候,我們希望把它的結(jié)做的深一些,這樣才有助于整個(gè)效率的提升。這個(gè)背表面的摻雜濃度,也是息息相關(guān)的,如果提高整個(gè)參數(shù)開壓、短路電流、填充因子、效率等等也都上去了,這個(gè)背面的做的好壞對(duì)體有影響,如果背面的鈍化做的差,對(duì)PERC電池,對(duì)它的短路電流的影響是巨大的,同時(shí)對(duì)它的開壓也有影響,但是對(duì)它的填充并沒有多大影響,這兩個(gè)關(guān)鍵因素下來(lái)以后他的效率也就降下來(lái)了。所以在背面做的非常好有助于開壓表面的提升,但實(shí)際上要提高填充因子并不是在背面的鈍化角度考慮??赡芨嗟膹谋潮砻鎴?chǎng)的深度角度考慮,還有摻雜濃度考慮。還有前表面發(fā)射極飽和電流,不論是發(fā)射飽和電流還是背面表面長(zhǎng)的飽和電流,實(shí)際上對(duì)他的開壓都是有影響的。
在這個(gè)地方看發(fā)射極飽和電流,短路對(duì)填充因子沒有影響,但是對(duì)開壓是比較大的影響,但是對(duì)短路電流沒有多大的影響。這個(gè)因素目前按我們的技術(shù)做已經(jīng)基本滿足了,主要還是背表面場(chǎng)的制備還有包括他背面的鈍化,這幾項(xiàng)合起來(lái),再加上前面所說(shuō)的電阻率組合起來(lái),這樣才能整體的提高效率。我們對(duì)PERC電池因?yàn)槲覀儗S玫能浖?,做了一個(gè)詳細(xì)的模擬,我們自己編的程序,首先看看PERC電池為什么襯底的電阻率等影響這兒大?這是電流密度分布的模擬情況,這是前面的電極,這是后面的電極,這是pitch之間的距離,我們看到在背面的電極數(shù)整個(gè)電流的密度相當(dāng)高,按現(xiàn)在pitch是500或者是600、700,這個(gè)地方單點(diǎn)電流的密度每平方厘米按39毫安這樣算,這個(gè)地方會(huì)達(dá)到十幾個(gè)毫安,這個(gè)地方的歐姆接觸必須要做好,這樣對(duì)漿料的要求會(huì)非常高,這樣可以有助于降低串聯(lián)電阻。
同時(shí)剛才也提到了,就是空穴的輸運(yùn),空穴的輸運(yùn)為什么在這個(gè)地方放到第一位?就是對(duì)整個(gè)PERC電池?fù)p失比較大,這是空穴的濃度的分布,我們做的模擬的結(jié)構(gòu)我們可以看到我們的電池,它空穴輸運(yùn)可是垂直輸運(yùn)的,這樣的過程;但是PERC電池不一樣,這個(gè)地方可以從前表面到背表面,但是對(duì)于這個(gè)部位來(lái)說(shuō),是這樣一個(gè)過程,所以他的路程大大的增加了,如果你的電阻非常高的話,實(shí)際上這個(gè)地方可能電子大了以后,并不有助于他的輸運(yùn),這樣會(huì)產(chǎn)生很多的熱,所以地方的電阻率一定要降下來(lái),這樣才真正的有助于空穴的輸運(yùn)所以為什么說(shuō)PERC電池對(duì)空穴的損失對(duì)它的影響非常巨大的?,F(xiàn)在人們對(duì)PERC背面用到了很多技術(shù)做鈍化,包括用三氧化二鋁和氮化硅的鈍化,三氧化二鋁和二氧化硅的鈍化,甚至氮化硅的鈍化。實(shí)際上,從兩個(gè)角度考慮一個(gè)是化學(xué)鈍化,再加上場(chǎng)鈍化,我們這個(gè)地方先不說(shuō)化學(xué)鈍化,我們只是考慮一個(gè)場(chǎng)鈍化的因素.我們做了這樣的模擬可以看到,通過背面,如果是三氧化二鋁有負(fù)電荷的情況下,他會(huì)怎么樣.我們可以看到負(fù)電荷的密度從負(fù)的一E九次方,到1E12次方,電荷的密度越高,實(shí)際上越有助于效率的提升。這是負(fù)電荷的情況下。如果我們不用三氧化二鋁,我們用氮化硅,或者是在這個(gè)地方有一個(gè)非常高的正電荷,看看有什么情況發(fā)生?我們通過模擬很新奇的發(fā)現(xiàn)效率也是由小到大的,實(shí)際上跟實(shí)驗(yàn)是恰恰相反的,實(shí)際上這個(gè)地方最主要的還是因?yàn)橛蠸hunt的存在,如果我們用Shunt,前面這個(gè)地方的電荷無(wú)論正電荷還是負(fù)電荷也好,實(shí)際上都有自己效率的提升,但正因?yàn)橛辛薙hunt的存在且不可避免,這樣在有這個(gè)正電荷出現(xiàn)的時(shí)候,高密度的正電荷,電池的效率是急劇的下降,這是我們模擬的結(jié)果。背表面的電荷影響最大的是Jsc,其次才是VOC,對(duì)填充因子的影響并不是很大,但是正電荷是要避免,其實(shí)Shunt非常重要,如果有Shunt效率會(huì)極大的降低,但Shunt到目前為止無(wú)法避免的,所以只能用盡量少的正電荷或者是用負(fù)電荷常鈍化,完成高效的過程。這是我們做的一個(gè)模擬,面電荷的密度負(fù)的10的12次方,這個(gè)地方是面電荷密度為0的情況下。我們看到,有高密度的面電荷,這是跟報(bào)道的三氧化二鋁的結(jié)果差不多,10的11和10的12次方之間,我們看到有一層很高密度的面電荷出現(xiàn)的時(shí)候,后面能帶整個(gè)是向上彎曲,而這個(gè)地方,是類似與形成一個(gè)溝道恰恰有助于這種空穴處輸運(yùn)的,這樣可以極大的提高整個(gè)電流的密度。效率我們這個(gè)地方?jīng)]有做其它參數(shù)的優(yōu)化,但是效率可以達(dá)到19.5。而沒有的面電荷密度時(shí)候效率是18.7,當(dāng)沒有Shunt的時(shí)候,面電荷密度為正的12次方。我們看到也能夠達(dá)到19.27,但是我們看到,這個(gè)時(shí)候,他的們帶是向下彎曲,這樣有利于電子的傳輸,但是我們相比來(lái)說(shuō)的,面電荷密度是正的12次方、負(fù)的12次方,我們看得到,這兩者的效率并不是非常多,這也是驗(yàn)證前面一個(gè)結(jié)論。影響他最主要的因素,就是常鈍化的時(shí)候,還是Shunt的產(chǎn)生,那我們?cè)趥€(gè)地方,把空穴的濃度放下,剛才說(shuō)到了空穴的輸運(yùn)是關(guān)鍵的因素,面電荷密度是負(fù)的10的12次方,我們可以看到,VOC、開壓和IOC均獲得提升!這個(gè)地方可以看到空穴的濃度是非常高的,在這個(gè)地方特別是在截面處,實(shí)際上有利于空穴的輸運(yùn),沒有面電荷密度的時(shí)候這樣一個(gè)平均的水平,但是如果有正的面電荷密度的時(shí)候,這個(gè)地方空穴的濃度會(huì)下降下來(lái),實(shí)際上Voc降低并不是非常大,但是主要是降低的是短路電流這樣的因素。
所以在做局部點(diǎn)接觸的時(shí)候,無(wú)論是用激光開孔還是劃線,做上去以后,可以看到這個(gè)地方形成了一個(gè)非常好的背場(chǎng),背場(chǎng)很厚,這樣沒有Shunt,但是如果做上去以后,在這個(gè)地方形成這樣的情況;特別是在這個(gè)邊緣處并沒有形成這樣一個(gè)背表面場(chǎng),這樣形成了特別是有場(chǎng)鈍化的情況下,這個(gè)地方是一個(gè)極大的漏電通道,這樣做下去,電池的效率雖然鈍化做的好,但是由于Shunt的存在,整個(gè)電壓還有但路電流提不上去,反而會(huì)下來(lái)。這是上面的綜合影響進(jìn)一步的就是要提高PERC電池的效率,如果把電池的電阻率下來(lái)以后,把空穴輸運(yùn)的問題就解決了,但是另外一些次要的問題上升為主要的問題,包括金屬化、背表面的復(fù)合、襯底的負(fù)荷等。背表面如果改善激光LFC工藝,特別是減少LFC這個(gè)地方的復(fù)合,因?yàn)榧す獯蛏先ヒ院?,中間一塊打掉但是周圍還是有一個(gè)很寬的損傷層,那個(gè)很寬的損傷層是非常嚴(yán)重的復(fù)合中心;如果把這個(gè)地方的問題解決,再加上非常好的背面鈍化,在用好的漿料和好的襯底,前表面用了現(xiàn)有的技術(shù),實(shí)際上整個(gè)PERC電池效率就有極大的提升。如果說(shuō)PERC電池到了今天的程度,下面再改善前表面的金屬化,對(duì)發(fā)射極進(jìn)行優(yōu)化,再改善它的表面鈍化,再使用高等的硅材料,再改變接觸,最后多總線的設(shè)計(jì),整個(gè)的效率我相信PERC電池未來(lái)幾年達(dá)到22.5%以上,是不成問題的,最后謝謝各位。順便我們提供完事的測(cè)試分析、模擬仿真和工藝優(yōu)化服務(wù),如果有需要這樣服務(wù)的,請(qǐng)聯(lián)系我們。
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員賈銳博士
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